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本文標(biāo)題："集成電路硅片在研磨拋光后使用金相顯微鏡觀(guān)察"
新聞來(lái)源：未知 發(fā)布時(shí)間：2015-7-27 16:01:21 本站主頁(yè)地址：http://www.vndmy.cn
集成電路硅片在研磨拋光后使用金相顯微鏡觀(guān)察
硅片在研磨之后，必須再進(jìn)行拋光。因此對(duì)于集成電路
材料來(lái)說(shuō)，切割的硅片要比生產(chǎn)工藝所需的硅片厚，因?yàn)橄乱坏?/div>
研磨加工必須去除切割痕跡和晶格結(jié)構(gòu)內(nèi)的機(jī)械損傷。
加工損傷或應(yīng)變對(duì)電阻率有明顯的影響。在單晶硅中這種
影響是如此之明顯，以致可將硅棒用作極靈敏的應(yīng)變儀。
將切割好的硅片置于研磨機(jī)中，研磨掉受損傷的表面材料，
從而制得厚度偏差小于0．001英寸的平整硅片。連續(xù)交替使用
精磨料與化學(xué)腐蝕來(lái)減少表面層下面的損傷量。作為表面制備
的最后一步，為去除表面損傷的最后痕跡，使表面光亮如鏡，可
采用化學(xué)腐蝕、機(jī)械拋光或電化學(xué)腐蝕中的任何一種方法。用
機(jī)械拋光方法獲得的硅片表面平整度要比用化學(xué)腐蝕方法的
好，但殘存有少量機(jī)械損傷。采用何種方法進(jìn)行最后的表面加
工，一般應(yīng)兼顧機(jī)械拋光片中殘存機(jī)械損傷對(duì)電學(xué)參數(shù)的影響，
以及化學(xué)腐蝕可能產(chǎn)生的分辨審問(wèn)題這兩個(gè)因素。
為獲得令人滿(mǎn)意的電路成品率和電路性能，對(duì)單晶硅片的
晶向、電阻率、導(dǎo)電類(lèi)型、晶體完美性和少數(shù)載流子壽命均有一
定的要求。
在制造電路的這一面需要有一個(gè)平整如鏡的拋光表面，以
便在光刻過(guò)程中使掩模版與硅片表面接觸良好。表面缺陷，尤
其是那些突起部分的缺陷，將會(huì)損壞乳膠掩模版上的圖形并產(chǎn)
生有缺陷的電路。
訂購(gòu)?fù)庋悠瑫r(shí)，對(duì)外延層的電阻率、導(dǎo)電類(lèi)型、晶體完美性、
厚度、表面平整度和完美性應(yīng)提出一定的要求。
為獲得適用的材料，曾經(jīng)有一段時(shí)期半導(dǎo)體器件生產(chǎn)廠(chǎng)不
得不自己生長(zhǎng)單晶硅。后來(lái)因生長(zhǎng)技術(shù)變得更為普及，并且有
了充分的檢測(cè)方法，因此，一些大型材料制造廠(chǎng)由于產(chǎn)量大、具
有專(zhuān)門(mén)技術(shù)并采用高度專(zhuān)用化設(shè)備和工藝控制，已能提供成本
比一般為低的單晶硅�，F(xiàn)在大部分集成電路生產(chǎn)廠(chǎng)購(gòu)買(mǎi)它們所
需的部分或全部單晶硅片。
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