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本文標(biāo)題："集成電路質(zhì)量拋光后的晶片計量工業(yè)顯微鏡"
新聞來源：未知 發(fā)布時間：2015-2-7 3:47:38 本站主頁地址：http://www.vndmy.cn
著集成電路質(zhì)量拋光后的晶片計量工業(yè)顯微鏡
用金剛石刀刃把硅單晶棒切成薄片(晶片)，此時，晶片表面
會產(chǎn)生損傷，為了消除這種表面損傷，要用機(jī)械方法或化學(xué)方法
加以拋光。拋光后的晶片為厚度約0.2mm的圓片。
隨著集成電路質(zhì)量和集成度的提高，不僅要在外延層中獲得
一定的雜質(zhì)濃度，而且要求生長結(jié)晶性能良好的外延層。雖然生
長前的表面處理和對晶片的操作等是使外延層產(chǎn)生缺陷的原因，
但對外延層的晶體性能起決定性影響的因素卻是晶片本身的晶體
性能和外延生長工藝兩個方面。
第一個方面是關(guān)于襯底本身的品體性能。在外延生長中，一
般使用無位錯晶片，但是，如果由于晶片的研磨等操作留下了有
畸變和缺陷的損傷層，就會在氧化、擴(kuò)散和外延生長中誘發(fā)位錯，
這樣，使用無位錯晶片就變得毫無意義，堆垛層錯就要增大，進(jìn)
而pn結(jié)漏電流也增大，這就成為在晶體管和集成電路中產(chǎn)生噪聲
的原因。也就是說，晶片表面的研磨加工成了外延生長工序的重
點(diǎn)。
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